Статья 1641

Явления в таком переходе будут во многом подобны тем, что возникают на омическом контакте двух металлов. Носители зарядов - электроны и дырки - переходят в слой с противоположными типами проводимости до тех пор, пока возникшая контактная разность потенциалов не установит динамическое равновесие, препятствующее такому переходу. Однако существенным отличием от случая контакта двух металлов является то обстоятельство, что, перейдя в полупроводник с противоположным типом проводимости, носитель заряда может встретиться со своим зеркальным двойником, дырка с электроном и взаимно уничтожится - рекомбинировать.
При этом, однако, все равно слой полупроводника типа потеряет часть дырок и получит отрицательный заряд, а слой полупроводника типа потеряет часть электронов и получит соответственно положительный заряд.
Если концентрация носителей в полупроводнике одного типа существенно превышает их концентрацию в другом, то в основном образование контактной разности потенциалов будет происходить за счет движения носителей с высокой концентрацией, и поэтому сам переход как бы смещается в область с малой концентрацией носителей.