Статья 1670

В отличие от пленочных схем, где основой процесса является напыление на изолирующую подложку, здесь в основе лежит процесс диффузии, проникновения необходимых примесей из газовой фазы в толщу исходной пластины полупроводника.
Скорость этой диффузии определяется температурой и концентрациями легирующих примесей в газовой фазе. Технологические процессы производства монолитных схем в сущности являются усовершенствованными вариантами процессов изготовления транзисторов. Эти процессы гораздо капризнее и требуют большей точности оборудования и режимов.
Однако массовость и однородность продукции оправдывают эти усложнения. При необходимости введения изоляции соответствующие участки просто окисляются об этом уже шла речь при описании МОП-транзисторов, но дополнительными ограничениями при разработке монолитных схем является строгая связь между предыдущими и последующими операциями.