Статья 1705

Следовательно, геометрическая точность исполнения в случае полевых транзисторов требуется существенно выше. В-третьих, в случав полевых транзисторов условия минимального дрейфа дифференциального каскада, вообще говоря, далеко не всегда совпадают с условием равенства нулю начального смещения нуля, с точкой баланса дифференциального каскада.
Первая из указанных трудностей - получение монолитных пар полевых транзисторов - принципиально была решена только в 1967 г. Настойчивая работа схемотехников и технологов дала возможность получать к настоящему времени температурную нестабильность дифференциальных схем на полевых транзисторах не хуже 20 мкВ на 1°С. Эти цифры получаются в условиях массового производства и умеренной стоимости. Дорогие схемы, проходящие специальный отбор и тренировку, могут иметь нестабильность 3-5 мкВ на 1°.