Статья 1699

Этот разбаланс составляет для парных интегральных транзисторов, изготовленных по современной технологии, обычно больше 1-3 мВ.
Заметим, что у изготовленных по одинаковой технологии, но не в одном кристалле транзисторов разность спряжений на эмиттерных переходах при одинаковых токах эмиттеров обычно составляет 50-100 мВ.
Этот разбаланс напряжений на эмиттерных переходах - основной источник дрейфа при изменениях температуры.
Сам дрейф может быть посчитан по очень простой формуле, его величина равна величине разбаланса, деленной на абсолютную температуру по шкале Кельвина при которой производится измерение. Так, в обычном для условий эксплуатации диапазоне температур 0-50°С дрейф пары с начальным смещением 3 мВ составит около 10мкВ на 1°С, в то время как дискретных транзистора с начальным разбалансом в 50 мВ очень умеренная цифра, дадут нестабильность нуля в 160-170 мкВ.